ストレージ(保管庫)— 電源を切っても残る保管場所

中級の解説は準備中のため、中級の内容を表示しています。

概要 — まず全体をつかむ

初級ではストレージを「冷蔵庫(不揮発の保管庫)」と捉えました。中級では、HDDとSSDが物理的にどう記録し、なぜ速さが違うのかを見ます。

詳細 — 1段階ずつ追う

これは何をする係?

ストレージは、電源を切っても内容が残る不揮発性の記憶装置です。OS・アプリ・データを永続化し、メモリ(揮発性)との間で読み書きします。

記録方式で大きく2系統に分かれます。

  • HDD — 磁性体を塗った円盤(※1 プラッタ)に磁気で記録する機械式
  • SSD — 半導体(※2 NANDフラッシュ)に電荷で記録する電気式

登場人物メモ:

  • ※1 プラッタ — 高速回転する磁気ディスク。磁気ヘッドが目的位置まで動く(シーク)
  • ※2 NANDフラッシュ — 電荷でビットを保持する不揮発メモリ。コントローラが制御する

メモリとの関係

  1. 使うときは、ストレージからメモリに読み出す(永続層から作業層へ)
  2. CPUはメモリ上のデータを処理する(ストレージへ直接演算はしない)
  3. 保存すると、ストレージに書き戻す(作業層から永続層へ)

ストレージはメモリより桁違いに遅いため、OSは頻繁に使うデータをメモリ上にキャッシュし、アクセス回数そのものを減らそうとします。

SSDとHDD

HDD(機械式)

  • プラッタを毎分数千回転させ、磁気ヘッドを目的トラックまで動かす(シーク)
  • 可動部があるため、位置決めの待ち(シーク時間+回転待ち)が避けられず、特にランダムアクセスが遅い
  • 大容量が安い

SSD(電気式)

  • NANDフラッシュに電荷で記録。可動部が無く、位置決めの待ちがない
  • 書き込みはページ単位、消去はブロック単位という非対称性があり、上書きができない。既存データのあるブロックへ書くには「読み出し→消去→書き戻し」が発生する(書き込み増幅)
  • ウェアレベリング — 特定セルへの書き込み集中を避け、寿命を平準化する
  • TRIM — OSが「もう不要」と伝えた領域をSSDが先に消去し、書き込みを軽くする
  • NANDは書き換え回数に上限があり、これが寿命の主因
  • シーケンシャル(連続)は速く、ランダム(小さく飛び飛び)は相対的に遅い。ただしHDDほど差は大きくない

インターフェース

  • SATA — HDD時代からの規格。帯域が頭打ちで、速いSSDでは制約になる
  • NVMe(PCIe接続) — PCIeレーンに直結し広帯域+多数の並列キュー。ランダムアクセスで特に有利
アニメーション『ストレージ(HDDとSSD)』を開く
ストレージ=電源を切っても残る保管庫HDD(ハードディスク)回る円盤に磁気で記録円盤+磁気ヘッド(可動部)大容量が安い円盤を回すぶん遅め可動部あり(振動・衝撃に弱い)SSD(半導体ドライブ)メモリチップに電気で記録フラッシュメモリ(可動部なし)速い・静か可動部なし(衝撃に強い)容量あたりは割高電源OFFでも中身は消えない(不揮発)— どちらも「消えない保管庫」速さの目安(読み書き)SSD≫ 速いHDD遅め

⚠️ うまくいかないとき

  • 空き容量不足 — SSDは空きブロックが減ると書き込み前の消去が増え、速度が落ちる
  • 書き換え寿命 — NANDの書き換え回数上限に近づくと劣化する。大事なものはバックアップ
  • HDDの物理故障 — 可動部やヘッドの損傷でデータ消失。衝撃に弱い
  • ランダムアクセス多発 — 小さな読み書きが散らばると、特にHDDで待ちが増える

理解度チェック

そのまま解けます(成績は保存されません)。無料アカウントを作ると、学習の記録と進捗の山登りが始まります。

1. SSDが書き込み前に「まずブロック単位で消去してから書く」必要があるのはなぜ?

2. NVMe(PCIe接続)がSATA接続のSSDより高速になりやすい主な理由は?

3. メモリ(RAM)とストレージの、電源を切ったときの違いとして正しいのはどれ?

4. HDDが特に「小さく飛び飛びのランダムアクセス」で遅くなる主因はどれ?

5. SSDでOSが「もう使っていない領域」を先に伝え、SSDに事前消去させて書き込みを軽くする仕組みはどれ?

6. SSDやHDDのアクセス速度について、一般に正しいのはどれ?

7. 電源を切っても内容が消えないストレージの性質を、漢字4文字で答えてください。

8. SSDで特定のセルに書き込みが集中しないよう、全体へ均して寿命を平準化する仕組みを、カタカナで答えてください。