初級ではストレージを「冷蔵庫(不揮発の保管庫)」と捉えました。中級では、HDDとSSDが物理的にどう記録し、なぜ速さが違うのかを見ます。
中級の解説は準備中のため、中級の内容を表示しています。
概要 — まず全体をつかむ
詳細 — 1段階ずつ追う
これは何をする係?
ストレージは、電源を切っても内容が残る不揮発性の記憶装置です。OS・アプリ・データを永続化し、メモリ(揮発性)との間で読み書きします。
記録方式で大きく2系統に分かれます。
- HDD — 磁性体を塗った円盤(※1 プラッタ)に磁気で記録する機械式
- SSD — 半導体(※2 NANDフラッシュ)に電荷で記録する電気式
登場人物メモ:
- ※1 プラッタ — 高速回転する磁気ディスク。磁気ヘッドが目的位置まで動く(シーク)
- ※2 NANDフラッシュ — 電荷でビットを保持する不揮発メモリ。コントローラが制御する
メモリとの関係
- 使うときは、ストレージからメモリに読み出す(永続層から作業層へ)
- CPUはメモリ上のデータを処理する(ストレージへ直接演算はしない)
- 保存すると、ストレージに書き戻す(作業層から永続層へ)
ストレージはメモリより桁違いに遅いため、OSは頻繁に使うデータをメモリ上にキャッシュし、アクセス回数そのものを減らそうとします。
SSDとHDD
HDD(機械式)
- プラッタを毎分数千回転させ、磁気ヘッドを目的トラックまで動かす(シーク)
- 可動部があるため、位置決めの待ち(シーク時間+回転待ち)が避けられず、特にランダムアクセスが遅い
- 大容量が安い
SSD(電気式)
- NANDフラッシュに電荷で記録。可動部が無く、位置決めの待ちがない
- 書き込みはページ単位、消去はブロック単位という非対称性があり、上書きができない。既存データのあるブロックへ書くには「読み出し→消去→書き戻し」が発生する(書き込み増幅)
- ウェアレベリング — 特定セルへの書き込み集中を避け、寿命を平準化する
- TRIM — OSが「もう不要」と伝えた領域をSSDが先に消去し、書き込みを軽くする
- NANDは書き換え回数に上限があり、これが寿命の主因
- シーケンシャル(連続)は速く、ランダム(小さく飛び飛び)は相対的に遅い。ただしHDDほど差は大きくない
インターフェース
- SATA — HDD時代からの規格。帯域が頭打ちで、速いSSDでは制約になる
- NVMe(PCIe接続) — PCIeレーンに直結し広帯域+多数の並列キュー。ランダムアクセスで特に有利
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⚠️ うまくいかないとき
- 空き容量不足 — SSDは空きブロックが減ると書き込み前の消去が増え、速度が落ちる
- 書き換え寿命 — NANDの書き換え回数上限に近づくと劣化する。大事なものはバックアップ
- HDDの物理故障 — 可動部やヘッドの損傷でデータ消失。衝撃に弱い
- ランダムアクセス多発 — 小さな読み書きが散らばると、特にHDDで待ちが増える
理解度チェック
そのまま解けます(成績は保存されません)。無料アカウントを作ると、学習の記録と進捗の山登りが始まります。
問1. SSDが書き込み前に「まずブロック単位で消去してから書く」必要があるのはなぜ?
問2. NVMe(PCIe接続)がSATA接続のSSDより高速になりやすい主な理由は?
問3. メモリ(RAM)とストレージの、電源を切ったときの違いとして正しいのはどれ?
問4. HDDが特に「小さく飛び飛びのランダムアクセス」で遅くなる主因はどれ?
問5. SSDでOSが「もう使っていない領域」を先に伝え、SSDに事前消去させて書き込みを軽くする仕組みはどれ?
問6. SSDやHDDのアクセス速度について、一般に正しいのはどれ?
問7. 電源を切っても内容が消えないストレージの性質を、漢字4文字で答えてください。
問8. SSDで特定のセルに書き込みが集中しないよう、全体へ均して寿命を平準化する仕組みを、カタカナで答えてください。